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[贴图]Intel的3D晶体管只是把门立起来,
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[贴图]Intel的3D晶体管只是把门立起来,
绽铃子
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警告次数: 2
头衔: 海归少将
声望: 专家
加入时间: 2006/02/03
文章: 5156
海归分: 288893
标题:
[贴图]Intel的3D晶体管只是把门立起来,
(1710 reads)
时间:
2011-5-08 周日, 13:08
作者:
绽铃子
在
海归商务
发贴, 来自【海归网】 http://www.haiguinet.com
Intel的3D晶体管只是把门立起来,其他的不变。 以前的门是趟下的。
这个技术是小改进,不改变任何基本物理限制。 我原先以为20纳米就到极限了,看来极限应该是10纳米或者5纳米。也就是说还有10年左右的时间。
一个技术如果不能够持续地进步,那么后发的模仿者就一定能够赶上。
这些在元器件层面的改进还会有许多,但是对于内存墙,依然没有办法。可以说,器件级别的进步越大,内存延迟的重要性越大。
作者:
绽铃子
在
海归商务
发贴, 来自【海归网】 http://www.haiguinet.com
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[贴图]Intel的3D晶体管只是把门立起来,
--
绽铃子
- (325 Byte) 2011-5-08 周日, 13:08
(1710 reads)
对检测有新要求吗?前道和后道工艺有和变化?对相应的检测有无新需求?欢迎探讨
--
KGB8
- (2 Byte) 2011-5-09 周一, 02:49
(212 reads)
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